Intel propt 3 bits in geheugencel
Het gaat om geheugens op basis van NAND-technologie. In de traditionele opbouw bieden dergelijke geheugens ruimte voor één bit per cel. Intel heeft nu een opmerkelijke stap genomen, door de geheugens met 2 bits per cel gewoon over te slaan en direct naar de 3x technologie te gaan. Er lopen nog wel gesprekken met Micron over het maken van chips met 2x technologie, maar onduidelijk is of die tot gerede producten zullen leiden.
Shutterstock
Shutterstock
Intel en Micron hebben inmiddels proefchips gemaakt, gebaseerd op een spoorbreedte van 34 nanometer. Dit dient om aan te tonen dat de voorgestelde schakelingen werken en makkelijk in grote aantallen kunnen worden gemaakt. Het betekent echter niet dat op korte termijn bijvoorbeeld al SSD's met een drievoudige opslagdichtheid op de markt zullen komen. De ingenieurs van Intel moeten nog tests doen om de betrouwbaarheid van de chips op langere termijn te garanderen. Ook moeten speciale memorycontrollers worden gemaakt die overweg kunnen met de drievoudige datahoeveelheid.
Intel en Micron zijn wel de eersten die met een dergelijk geheugen op de proppen komen. Aan het begin van die jaar hebben SanDisk en Toshiba een white paper uitgebracht waarin de werking van dit type geheugen wordt beschreven. Daarin werd ook al gekeken naar 4x chips, waar 4 bits per cel in passen. De proefchip van Micron en Intel maakt gebruik van multi-level cell technologie, waar de schakelingen ook in de hoogte worden gemaakt. De chip valt in de categorie 3D halfgeleiders, een technologie waar Intel al geruime tijd mee experimenteert.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee