Innovatie & Strategie

Wetenschap
wafer

Nieuw supersnel geheugen uitkomst voor IoT en AI

SST-MRAM geheugen gebruikt erg weinig energie voor de opslag.

31 december 2018

SST-MRAM geheugen gebruikt erg weinig energie voor de opslag.

Door het toepassen van een aantal procesverbeteringen, is het nu mogelijk om in massaproductie SST-MRAM-chips te maken met een dichtheid van ruim 100Mb en een schrijfsnelheid van 14 nanoseconde.

Het verhogen van de dichtheid van de geheugen is een echte doorbraak. Tot nog toe hadden de SST-MRAM chips een dichtheid tussen de 8 en 40 Mb. De veranderingen in de productiewijze leiden dus tot meer dan een verdubbeling van wat tot nog toe mogelijk was.

Een onderzoeksgroep van het Center for Innovative Integrated Electronic Systems (CIES) aan de Japanse ToHoku University slaagde er in de dichtheid van STT-MRAM te vergroten door magnetic tunnel junction (MTJ) te integreren met CMOS. Door de MYJ direct te creëren op smalle openingen (holes) die een geleidende verbinding creëren tussen verschillende lagen van de halfgeleider. De nieuwe chips werken op een spanning van 1,2 V.

Snel in productie

Het procedé is direct toepasbaar in productie. De groep verwacht dat dan ook dat de verbeterde chips al begin volgend jaar op de markt kunnen komen. Ook drie halfgeleiderproducenten hebben al aangekondigd de nieuwe productiewijze te gaan gebruiken.

SST-MRAM is een grote belofte voor een nieuwe generatie chips bedoeld voor embedded memory, werkgeheugen en dataverwerking in apparatuur waarvoor een laag energieverbruik cruciaal is zoals IoT-toepassingen. De onderzoekers hebben hun bevindingen begin december gepresenteerd op de 2018 International Electron Devices Meeting in San Francisco.

Lees meer over Innovatie & Strategie OP AG Intelligence
Reactie toevoegen
De inhoud van dit veld is privé en zal niet openbaar worden gemaakt.