Intel boekt succes met galliumarsenide
Voor het maken van de transistor is gebruikgemaakt van het materiaal InGaAs, ofwel indiumgalliumarsenide. Deze halfgeleider kan elektronen zeer goed geleiden en de stroom heel snel aan- en uitzetten. Voor een snelle transitor zijn dat ideale eigenschappen.
Shutterstock
Shutterstock
De transistor heeft een zogeheten high-k-isolatielaag tussen de stuurelektrode en de rest van het circuit. De maat 'k' geeft aan hoeveel isolerend vermogen zelfs een dunne laag heeft. Het is de bedoeling de transistors zo klein mogelijk te maken, waarbij een zeer dunne laag (slechts enkele nanometer dik) van groot belang is.
Het prototype van de schakeling is allesbehalve klein, geven de onderzoekers toe. De boosdoener in dit geval is de grootte van de aansluitpunten van het InGaAs-gedeelte van de schakeling. In een vervolgonderzoek wordt ernaar gestreefd die afmeting aanzienlijk te verkleinen. Intel heeft al 3 jaar aan de nieuwe schakeling gewerkt.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee