Industrie gaat op jacht naar 22 nm spoorbreedte
Al in augustus 2008 toonde IBM samen met een aantal partners, waaronder AMD, STMicroelectronics en Toshiba, een proefmodel van een SRAM-geheugenchip op de 22 nm-node. Zo’n statische geheugencel bestaat uit een flip-flopschakeling die is opgebouwd uit zes transistors. Door de zeer kleine afmetingen van die afzonderlijke transistors past de hele geheugencel op een oppervlak van 0,1 vierkante micron.
Shutterstock
Shutterstock