Achtergrond Automatisering Gidsvolgen volgend
PRO
9 januari 2009
leestijd 4 minuten
0 reacties
Industrie gaat op jacht naar 22 nm spoorbreedte
Al in augustus 2008 toonde IBM samen met een aantal partners, waaronder AMD, STMicroelectronics en Toshiba, een proefmodel van een SRAM-geheugenchip op de 22 nm-node. Zo’n statische geheugencel bestaat uit een flip-flopschakeling die is opgebouwd uit zes transistors. Door de zeer kleine afmetingen van die afzonderlijke transistors past de hele geheugencel op een oppervlak van 0,1 vierkante micron.
Shutterstock
Shutterstock
Lees dit PRO artikel gratis
Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:
Toegang tot 3 PRO artikelen per maand
Inclusief CTO interviews, podcasts, digitale specials en whitepapers
Blijf up-to-date over de laatste ontwikkelingen in en rond tech
Word gratis lid en lees verder
Bevestig jouw e-mailadres
We hebben de bevestigingsmail naar %email% gestuurd.
Geen bevestigingsmail ontvangen? Controleer je spam folder. Niet in de spam, klik dan hier om een account aan te maken.
Sluiten
Er is iets mis gegaan
Helaas konden we op dit moment geen account voor je aanmaken. Probeer het later nog eens.
Sluiten
Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:
Toegang tot 3 PRO artikelen per maand
Inclusief CTO interviews, podcasts, digitale specials en whitepapers
Volg je favoriete topics
Heb je al een account?
Log in
Maak een gratis account aan en geniet van alle voordelen:
Toegang tot 3 PRO artikelen per maand
Inclusief CTO interviews, podcasts, digitale specials en whitepapers
Volg je favoriete topics
Heb je al een account?
Log in
