Groningse onderzoekers claimen MRAM-doorbraak

MRAM is een nog betrekkelijk nieuwe ‘solid state’-geheugentechnologie die - vanwege z’n energie-efficiëntie - vooral de belangstelling geniet van makers van mobiele apparatuur. Onder meer Toshiba zou flink zijn gevorderd met de ontwikkeling van deze technologie. In MRAM worden bits vastgelegd op basis van de magnetische spin (draairichting). Dit ter onderscheid van elektrische lading, die aan de basis ligt van het conventionele harde schijfgeheugen.

Redactie AG ConnectMeer van deze auteur

Tech & Toekomst — Shutterstock

Shutterstock

Normaliter wordt MRAM beschreven door de magnetische spin in de minuscule magneetjes die het geheugen formeren, met elektrische stroom te beïnvloeden. Het merendeel van de daarvoor gebruikte elektriciteit gaat daarbij als restwarmte teloor. De onderzoekers van de RUG - Bart Wees, Bram Slachter en Frank Bakker - zijn er echter in geslaagd de spin van de geheugenelementen te wijzigen door het aanleggen van een warmtestroom. Bovendien ontdekten ze dat het daarbij mogelijk is de omslag van de spinrichting aanmerkelijk te versnellen door de geheugenelementen asymmetrisch te verwarmen, wat een dito afname van het energieverbruik teweeg brengt. De asymmetrie van de verwarming kan worden gestuurd door gebruik te maken van meerdere contactpunten op het geheugenelement.

Volgens Slachter is het ook mogelijk om thermisch uit te lezen, maar daaraan zijn - naar het zich nu laat aanzien - geen specifieke voordelen verbonden.

Het onderzoek van Slachter en zijn collega’s is mede gefinancierd door de Stichting FOM, EU-project DynaMax, NanoNed and the Zernike Instituut.