ASML verbetert maskertechniek
De techniek is ontwikkeld voor het corrigeren van maskers die nodig zijn voor chips met een spoorbreedte tussen de 20 en 30 nanometer. Deze zogeheten 2X halfgeleiders moeten volgens een speciale techniek worden belicht, omdat de grootte van de elementen kleiner is dan de golflengte van het gebruikte licht.
Shutterstock
© Shutterstock
Simpel werken lukt niet
Gewoon recht-toe-recht-aan belichten via het masker is bij die kleine spoorbreedtes niet meer mogelijk; er dient gebruik te worden gemaakt van natuurkundige verschijnselen als interferentie. Bij het ontwerpen van het masker moet daarmee terdege rekening worden gehouden. De nieuwe techniek van Brion zorgt daarvoor, waardoor de ontwerper wat meer vrijheden krijgt bij het maken van de layout op de chip.
Model-Based Sub-Resolution Assist Features
De ontwerp- en correctiesoftware is getooid met de naam Tachyon MB-SRAF (wat staat voor Model-Based Sub-Resolution Assist Features). De programmatuur breidt een standaard maskerontwerp uit met extra elementen, die ervoor moeten zorgen dat de gewenste contouren op de chip worden gezet. "Deze techniek maakt het mogelijk om chips met een kleine spoorbreedte heel snel te ontwerpen. Wij hebben er al voordeel van gehad bij het ontwerp van nieuwe DRAM-chips", zegt Sungwoo Ko, senior ontwerper bij het Koreaanse Hynix.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee