IMEC Leuven bedenkt opvolgers voor Flash

Bij RRAM worden bits vastgelegd met behulp van een weerstand in plaats van een lading zoals bij NAND-flashchips het geval is. De onderzoekers hebben gemerkt dat het eenvoudiger is om een weerstandscel kleiner te maken, met als resultaat zeer kleine geheugencellen. De weerstand van een cel kan van buitenaf worden ingesteld op een hoge of lage waarde, om nullen en enen vast te leggen.

Redactie AG ConnectMeer van deze auteur

Lage spanning

Resistive RAM kan goed werken op een lage voedingsspanning. "Bij tests hebben we vastgesteld dat een spanning van 3 volt voldoende is om een RRAM-chip te laten functioneren". zegt Bogdan Govoreanu. Dit is goed nieuws voor de ontwerpers van draagbare apparatuur. Traditionele flashgeheugens hebben doorgaans een hogere spanning nodig om ze van informatie te voorzien. De schrijfspanning moet 5 volt of meer bedragen.

Kleine cellen

Bij IMEC wordt gewerkt met speciale materialen, zoals het element Hafnium. Het oxyde daarvan (HfO₂) heeft de gewenste eigenschappen voor de vervaardiging van geheugencellen. Een bijkomend voordeel is dat die cellen zeer stek verkleind kunnen worden. Inmiddels is een werkende geheugencel gemaakt die niet groter is dan 10 x 10 nanometer. Hierdoor kan veel geheugencapaciteit worden samengebald in een kleine ruimte.