Britten laten transistor op 110 gigahertz schakelen
Britse onderzoekers hebben met hulp van STMicroelectronics een op silicium gebaseerde bipolaire transistor ontworpen die kan schakelen met een frequentie van 110 gigahertz, 50 procent sneller dan vergelijkbare transistoren, meldt BBC News.

Shutterstock
Shutterstock