Samsung steekt geld in 7 nanometer spoorbreedte

Al eerder geprobeerd

Diverse chipfabrikanten hebben geprobeerd om III-V schakelingen te maken op een substraat van silicium - net zoals gewone halfgeleiders. Die pogingen bleken niet echt goed te werken, was de bevinding van Intel, Sematech en het Belgische IMEC. De aanpak van Portland University blijkt beter te werken, vandaar dat Samsung er geld in steekt.

Meer mogelijkheden

Chipfabrikanten hebben behoefte aan een zo kleine mogelijke afmeting van de onderdelen op een chip. Ze kunnen dan meer functies op een plakje silicium plaatsen. Vooral bij draagbare apparatuur zoals Samsung die maakt, is dat van groot belang. Als InP als substraat aanslaat, betekent dat een uitdaging voor de makers van machines om chips te maken. De hele productietechniek is nu geoptimaliseerd voor silicium.

Investering

Samsung is niet alleen geïnteresseerd in de kleine spoorbreedte, ook het zeer lage energieverbruik van de schakelingen is veelbelovend. Dat maakt het mogelijk om draagbare apparatuur te maken waarin de accu zeer lang meegaat. Hierom investeren de Koreanen een stevig bedrag in het onderzoek, zonder een exact te bedrag te willen noemen.