Samsung klaar met DDR4-geheugenmodule
Voor de DDR4-chips maakt Samsung Electronics gebruik van zijn meest geavanceerde productieproces, waarbij de lijnbreedte 30 nanometer bedraagt. Volgens de Zuid-Koreaanse fabrikant bieden de nieuwe geheugenmodules een performance van 1,6 tot 3,2 gigabit per seconde. Bij de tot dusver snelste DDR3-modules ligt de piek bij 1,6 GB/s terwijl DDR2-chips niet verder komen dan 800 megabit per seconde.
Shutterstock
© Shutterstock
Doordat ze op een lager voltage werken, gebruiken de DDR4-modules ook minder energie. Ze werken op 1,2 volt, terwijl DDR3-geheugen een spanning van 1,35 of 1,5 volt vereisen. Bij gebruik in een laptop is een reductie met 40 procent mogelijk, aldus Samsung.
De nieuwe geheugenmodule maakt gebruik van ‘pseudo open drain’ (POD), een vinding waardoor DDR4-chips bij het lezen en wegschrijven van data maar half zoveel elektrische stroom gebruiken als DDR3-chips.
Samsung zegt nu samen te werken met een aantal serverfabrikanten om de DDR4-technologie binnen de JEDEC tot industriestandaard te verheffen. Dat zal naar verwachting in de tweede helft van dit jaar gebeuren. Bij de JEDEC zijn bijna 300 fabrikanten op het gebied van micro-elektronica aangesloten.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee