Plessey verbetert optische componenten

Minder gewicht, minder energie
De lichtbronnen worden gemaakt uit het halfgeleidermateriaal galliumnitride (GaN), een verbinding tussen gallium en stikstof. Deze stof is tamelijk lastig om te manipuleren, bij een niet-egale laagdikte kunnen er snel breuken optreden. Een promotieonderzoek aan de Universiteit van Cambridge heeft echter een procedé opgeleverd waarmee die breuken voorkomen kunnen worden. GaN heeft een hoge lichtopbrengst bij een relatief kleine energieconsumptie.
Bang voor concurrentie
Plessey produceert zijn lichtgevende diodes op relatief kleine wafers met een doorsnede van 6 inch (circa 15 centimeter). De angst bestaat dat concurrenten met de techniek aan de haal gaan en deze toepassen op wafers van 8 inch (20 centimeter). Zij kunnen dan in één slag meer chips maken, tegen vrijwel gelijke kosten zodat de opbrengst hoger is. Plessey overweegt wel om zelf ook over te stappen op wafers van 200 mm, om zo de concurrentie voor te zijn.
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee