Nieuw chipmateriaal is sneller en zuiniger
In Utah is geëxperimenteerd met een dunne film van tinoxyde, een laagje ter dikte van 1 atoom. Dit materiaal is het eerste dat vergelijkbaar is met p-silicium. Alle voorgaande 2D materialen met halfgeleidereigenschappen waren va het n-type. Daaronder grafeen en molybdeendisulfide, materialen die bovendien tamelijk moeilijk te maken zijn.
Shutterstock
Shutterstock
Zowel p als n
Met de komst van de tinoxyde-laag hebben de wetenschappers nu zowel een p-materiaal als een n-materiaal in handen, net als bij standaard siliciumschakelingen waar de p- en n-eigenschappen ontstaan door de pure halfgeleider te vervuilen met andere stoffen."Met die twee materialen samen kunnen we circuits maken die maar één atoom dik zijn", zegt de leider van het onderzoek.
Factor 100
De onderzoekers staan nog aan het begin van het traject, maar ze durven nu al te voorspellen dat transistoren die uit het nieuwe materiaal zijn gemaakt een factor 100 sneller zijn dan de siliciumcircuits die tegenwoordig worden gemaakt. Nadere informatie is hier te vinden.
Gerelateerde artikelen
Gerelateerde artikelen
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee