MIT kan Wet van Moore redden

De onderzoekers presenteren hun vinding op de International Electron Devices Meeting,die deze week in San Francisco wordt gehouden. Ze tonen daar een transistor met een lengte van slechts 22 nanometer en ze zitten daarmee op hetzelfde niveau als Intel. De nieuwste Intel-chips hebben ook een spoorbreedte van 22 nm en er wordt al naarstig gewerkt aan componenten met een spoorbreedte van 14 nm. En die verkleining is, als wordt gewerkt met silicium, geen eenvoudige zaak.

Redactie AG ConnectMeer van deze auteur

Fysieke grenzen

Intel heeft er al meer ervaring mee: hoe kleiner de onderdelen op een chip des te moeilijker wordt het om de afzonderlijk componenten van elkaar te isoleren. De overstap van silicium naar een andere halfgeleider verkleint de problemen. Zeker wanneer het materiaal, zoals bij InGaAs het geval is elektronen veel beter kan geleiden dan dat silicium dat kan. De onderzoekers van MIT hebben een 5 keer zo grote geleidbaarheid gemeten, in vergelijking met silicium.

Moeilijke fabricage

Chips van InGaAs zijn dus 5 keer zo snel als chips op basis van silicium. Er was wel een probleem, omdat het nieuwe materiaal niet zo makkelijk te bewerken is als silicium. Onderzoeker Jesús del Alamo en zijn team van het Department of Electrical Engineering and Computer Science bij MIT hebben veel geëxperimenteerd om de juiste techniek te vinden. Die lijken ze gevonden te hebben. Op een substraat wordt een dunne laag InGaAs aangebracht, die dan via elektronenstraal lithografie van een circuitpatroon wordt voorzien. De contacten worden gemaakt door op de kale schakelingen gasvormig molybdeen te laten neerslaan.

Verder krimpen

Het team van Del Alamo heeft meteen al een volgend doel geformuleerd: het aanpassen van de techniek zodat veel kleinere schakelingen gemaakt kunnen worden. Het is de bedoeling de spoorbreedte te laten inzakken tot 10 nanometer en mogelijk nog wat kleiner.