Magnetoresistive RAM (MRAM) en Resistive RAM (RRAM) zijn twee opvolgers voor de DRAM-chips die nu het werkgeheugen van pc's vormen. Tot nog toe werden MRAM en RRAM slechts in laboratoriumopstellingen ingezet. Maar een brede toepassing kan de manier waarop we pc's gebruiken flink veranderen, verwacht Coughlin in een interview met IDG News. Pc's kunnen met het nieuwe type geheugen net zo snel opstarten als tablets, maar bezitten wel veel meer processorkracht.
MRAM en RRAM leveren beide een niet-vluchtig geheugen zoals DRAM nu. Bij DRAM is de opslag van enen en nullen gebaseerd op een elektrische spanning. Zodra die wegvalt, is de informatie weg. MRAM slaat de gegevens op met een magnetische lading en RRAM gebruikt verschillen in weerstand. RRAM kan een factor 20 sneller reageren op schrijfacties en verbruikt slechts 1/20 van de stroom die een vergelijkbare DRAM-eenheid nodig heeft. Bovendien kan RRAM 10 keer zo lang mee als de huidige NAND-flashgeheugenmodule.
Tot nog toe zijn er enkele producenten die de ontwikkeling van MRAM en RRAM hebben getrokken, zoals Hitachi en Micron. Maar ook de andere grote producenten richten zich nu op de nieuwe technologieën. Voordat er sprake is van een vervanging van de DRAM-technologie moet er wel eerst een massaproductie mogelijk zijn en moet de prijs van de modules nog fors omlaag.
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee