Grens tussen werkgeheugen en opslag vervaagt snel

Sneller, goedkoper en duurzamer
MRAM en RRAM leveren beide een niet-vluchtig geheugen zoals DRAM nu. Bij DRAM is de opslag van enen en nullen gebaseerd op een elektrische spanning. Zodra die wegvalt, is de informatie weg. MRAM slaat de gegevens op met een magnetische lading en RRAM gebruikt verschillen in weerstand. RRAM kan een factor 20 sneller reageren op schrijfacties en verbruikt slechts 1/20 van de stroom die een vergelijkbare DRAM-eenheid nodig heeft. Bovendien kan RRAM 10 keer zo lang mee als de huidige NAND-flashgeheugenmodule.
Tot nog toe zijn er enkele producenten die de ontwikkeling van MRAM en RRAM hebben getrokken, zoals Hitachi en Micron. Maar ook de andere grote producenten richten zich nu op de nieuwe technologieën. Voordat er sprake is van een vervanging van de DRAM-technologie moet er wel eerst een massaproductie mogelijk zijn en moet de prijs van de modules nog fors omlaag.
Reacties
Om een reactie achter te laten is een account vereist.
Inloggen Word abonnee