Zuinig RAM-geheugen onthoudt zonder stroom

Het gemak waarmee de lading deze ‘tunnel’ in de membraan kan passeren, hangt af van de richting waarin de elektronen ‘tollen’ (spin) aan beide zijden van de membraan. Dit tollen is ook een kwantummechanisch aspect van elektronen. Elektronen kunnen in twee richtingen tollen, aangeduid met ‘opwaarts’ en ‘neerwaarts’. Wanneer de elektronen aan beide zijden van de membraan in dezelfde richting tollen, passeert de lading veel makkelijk de ‘tunnel’ in de isolerende laag dan wanneer het merendeel van de elektronen aan de ene zijde de andere kant op tollen dan het merendeel van de elektronen aan de andere kant. De richting van het tollen is te veranderen met een tijdelijk aanleggen van een magnetisch veld. Op deze manier is een snel werkgeheugen te creëren.